中川 明夫（なかがわ あきお）はIGBTの発明者の一人で、1984年IGBTの破壊原因であるラッチアップが起こらないノンラッチアップIGBTを開発し、現在のIGBTを実現した。 現在は中川コンサルティング事務所技術コンサルタントに従事。 1979年当時、ダイオードを高速化するためにキャリア寿命を短くすると高耐圧ダイオードの場合、順方向電圧降下が増大する問題があった。この問題を解決するためpinダイオードの動作メカニズムを詳細に解明することで、順電圧降下を下げかつ逆回復時間を60nsecと短くする技術を世界で初めて確立し実際の製品に適用した。具体的には高抵抗i層の厚みWとキャリア寿命τが次の関係：W2/τ=8μkT/q （μ：電子と正孔の平均の移動度）を満たす時、順電圧降下が最低になることを理論的に見出した。
出典：ウィキペディア「中川明夫」（CC BY-SA 4.0）を一部抜粋