大野 稔（おおの みのる、1927年〈昭和2年〉7月3日 - ）は、日本の技術者。1950年代〜70年代にかけて日立製作所にて半導体事業で活躍し、現在の集積回路の基幹技術であるMOSFETの国産化において中心的役割を果たし、日本国内におけるMOSFET（MOSトランジスタ）開発の立役者の一人として知られる。 1927年7月3日 名古屋市に生まれる。 1952年 名古屋大学工学部電気科（当時は電気工学科）卒業。その後、特別奨学生コースを終了し、工学部の助手を務める。（大学院では磁性材料の研究） 1957年 半導体の技術を探していた日立製作所の誘いに応じ入社、日立中央研究所に入所。当時からいわゆる電界効果トランジスタの可能性に着目し研究を進めていたが、当時の日本では懐疑的な見方をするものが多く、研究所の総務部長からは「せっかく入ったけれども、知り合いが所長の小さい研究所があるから」と暗に退社・転職を勧められるほどだった。
出典：ウィキペディア「大野稔」（CC BY-SA 4.0）を一部抜粋